針對功率半導體的原始創(chuàng)新不足和體系化不強，聚焦高性能高密度集成的新結(jié)構(gòu)器件和SiC、GaN等寬禁帶功率半導體及集成技術(shù)，增強兩大研究方向“新型功率芯片與特色工藝、先進封裝架構(gòu)與智能集成”的原創(chuàng)能力。重點攻關(guān)底層器件機理、新型材料、先進工藝、智能集成等關(guān)鍵支撐技術(shù)。融合先進集成電路制造和寬禁帶半導體材料優(yōu)勢，加速推動功率芯片低損耗高頻化、功率器件智能集成化發(fā)展。五年內(nèi)，全面實現(xiàn)我國功率半導體技術(shù)“從弱到強”的提升；十年內(nèi)，全面實現(xiàn)我國功率半導體器件從“應用大國”到“創(chuàng)新強國”的轉(zhuǎn)變。